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首頁技術(shù)支持 Raltron振蕩器CO2016-25.000-3.3-50-T-TR制造技術(shù)概要

Raltron振蕩器CO2016-25.000-3.3-50-T-TR制造技術(shù)概要

來源：http://renderx.cn 作者：康華爾電子 2019年11月01
Raltron振蕩器CO2016-25.000-3.3-50-T-TR制造技術(shù)概要
　　每年我國的進(jìn)出口電子元件數(shù)量數(shù)以百億計(jì),尤其是石英晶振,電阻電容,芯片,傳感器,電感器等常用的器件,其中頻率組件是比較依賴進(jìn)口的,所以國內(nèi)電子元器件市場上,有非常多的進(jìn)口品牌,Raltron是比較受歡迎的品牌之一,是專門研發(fā),制造,生產(chǎn)各種晶體和振蕩器的供應(yīng)商.Raltron晶振這個(gè)品牌很多生產(chǎn)廠家都認(rèn)識(shí),并使用他們家的產(chǎn)品,石英晶體振蕩器是Raltron公司比較注重發(fā)展的模塊,也是他們公司比較盈利的產(chǎn)品,下面是康華爾電子整理一部分的Raltron振蕩器原廠代碼表.
CO4305-25.000-EXT-T-TR 25.000MHz CO43晶振
CO4305-25.000-T-TR 25.000MHz CO43晶振
C01100-66.666MHZ 66.666MHz CO1晶振
C019100-20.000 20.000MHz CO1晶振
C04302-27.000-EXT-T 27.000MHz CO43晶振
C04310-32.000-EXT-T-TR 32.000MHz CO43晶振
C04310-32.000-EXT-TR 32.000MHz CO43晶振
C04610-80.000-T-TR 80.000MHz CO46晶振
C04810-20.000MHZ-EXT-TR 20.000MHz CO48晶振
CO1100-7.777728MHZ-40 7.777728MHz CO1晶振
CO13100-32.000-EXT 32.000MHz CO1晶振
CO2016-20.000-3.3-50-T-TR 20.000MHz CO2016晶振
CO2016-25.000-3.3-50-T-TR 25.000MHz CO2016晶振
CO2016-50.000-3.3-50-T-TR 50.000MHz CO2016晶振
CO4302-25.000-EXT-T-T 25.000MHz CO43晶振
CO4302-40.000-T-EXT-TR 40.000MHz CO43晶振
CO43025-14.31818-T 14.31818MHz CO43晶振
CO43025-20.000-EXT-T-TR 20.000MHz CO43晶振
CO43025-24.576-T-TR 24.576MHz CO43晶振
CO43025-25.000-T-TR 25.000MHz CO43晶振
CO43025-32.000-EXT-T-TR 32.000MHz CO43晶振
CO43025S-25.000-EXT-TR 25.000MHz CO43晶振
CO4305-16.000-EXT-TR 16.000MHz CO43晶振
CO4305-24.000-T-TR 24.000MHz CO43晶振
CO4305-24.576-EXT-T-T 24.576MHz CO43晶振
CO4305-25.000-EXT-TR 25.000MHz CO43晶振
CO4305-25.000-EXT-TR-L30 25.000MHz CO43晶振
CO4305-30.000MHZ-T 30.000MHz CO43晶振
CO4305-33.000-EXT-T-TR 33.000MHz CO43晶振
CO4305-33.333-EXT-TR 33.333MHz CO43晶振
CO4305-40.000-EXT-T-TR 40.000MHz CO43晶振
CO4305-48.000-EXT-T-TR 48.000MHz CO43晶振
CO4305-50.000-EXT-TR 50.000MHz CO43晶振
CO4310-20.000-EXT-T-TR 20.000MHz CO43晶振
CO4310S-16.384-TR 16.384MHz CO43晶振
CO4605-100.000-EXT-T-TR 100.000MHz CO46晶振
CO4605-125.000-EXT-TR 125.000MHz CO46晶振
CO4805-27.000-EXT-TR 27.000MHz CO48晶振
CO4810-12.000-EXT-T-TR 12.000MHz CO48晶振
COM13025-24.000-EXT-T-TR 24.000MHz COM1晶振
　　在廣大用戶的心中,Raltron振蕩器一直是高品質(zhì),高性能的代表,普遍都有低電壓,低功耗,低耗能,低電平,高穩(wěn)定性,高可靠性,環(huán)保無鉛等優(yōu)良特性.得益于Raltron先進(jìn)的技術(shù)和工藝,接下來為大家介紹下,一些關(guān)于石英晶體振蕩器的知識(shí),以及制造技術(shù).
LLDM.png
　　ASICS中的振蕩器單元對時(shí)鐘振蕩器的銷售產(chǎn)生了毀滅性影響.用戶的時(shí)鐘成本降低了至少50％.占地空間的減少通常是原來的10倍.在許多用戶應(yīng)用中,振蕩器是板上只有少量模擬電路的數(shù)字電路之一,板上只有少數(shù)模擬電路.通常,在ASIC制造商的應(yīng)用筆記的幫助下,數(shù)字技術(shù)領(lǐng)域的工程師通常要設(shè)計(jì)模擬電路.
　　ASIC供應(yīng)商的應(yīng)用筆記通常是通過收集由另一器件驅(qū)動(dòng)的以其他頻率工作在其他地方的電路來編寫的.設(shè)計(jì)人員的這種結(jié)合通常會(huì)導(dǎo)致對晶體制造商的技術(shù)支持,通常是在PCB設(shè)計(jì)完成并投入生產(chǎn)之后.
　　許多大型用戶會(huì)以百萬分之幾的缺陷零件(DPPM)記錄晶體故障.使用高速自動(dòng)組裝設(shè)備,紅外焊錫回流焊技術(shù)和自動(dòng)電氣測試完成電路板組裝后,用戶對100DPPM的結(jié)果不滿意.
　　預(yù)期無源元件的電平為15DPPM–通常不選擇更改有時(shí)不是最佳的有源晶振設(shè)計(jì).本文的基本目的是向新手表明一些改進(jìn)ASIC單元周圍電路設(shè)計(jì)的方法.本文將討論有限增益的影響,改進(jìn)的外部元件選擇及其選擇方法.本文還包括用于計(jì)算許多參數(shù)的Lotus1-2-3電子表格程序.
振動(dòng)基礎(chǔ)
　　諧波振蕩器必須符合Barkhausen的標(biāo)準(zhǔn),要求同時(shí)滿足相位和增益標(biāo)準(zhǔn)才能提供持續(xù)的振蕩.
　　標(biāo)準(zhǔn)＃1:閉環(huán)周圍的增益總和應(yīng)等于或大于1.
　　準(zhǔn)則2:圍繞閉環(huán)的相移總和應(yīng)等于N*360度相位,其中N是0、1、2等的整數(shù)值.
負(fù)電阻.
　　負(fù)電阻是放大器增益的同義詞.一些晶振供應(yīng)商的目錄具有類似的測量負(fù)電阻的基本方法.負(fù)電阻(-R)是跨導(dǎo)(gm)*XC1*XC2的乘積.-R由正電阻減小,例如輸出電阻,相移電阻等.
ASIC細(xì)胞特性.
　　當(dāng)今大多數(shù)ASIC單元都使用單級無緩沖HCMOS反相器.電池具有高輸入阻抗-通常為10Meg歐姆,并聯(lián)有7pf電容.輸出阻抗低得多–100至500歐姆,有效輸出電容為25pf.從ASIC輸出到ASIC輸入的反饋電容約為7pf.
　　通過ASIC的負(fù)電阻(-r)和延遲時(shí)間(td)未標(biāo)準(zhǔn)化.PCB通常包括有效的接地屏蔽以降低EMI.這種屏蔽和可變的電路走線長度會(huì)降低電路的穩(wěn)定性,并使雜散電容增加到典型的7到10pf的凈值.
阻抗匹配.
　　外部元件的選擇應(yīng)考慮反饋電路與放大器電路的阻抗匹配的必要性.權(quán)衡是頻率穩(wěn)定性與功率傳輸.為了使溫補(bǔ)晶振和OCXO等電路具有最大的頻率穩(wěn)定性,不匹配是合乎需要的.高穩(wěn)定性電路應(yīng)設(shè)計(jì)用于較大的失配；也就是說,電抗應(yīng)該與大電阻阻抗分流.不匹配會(huì)在工作頻率上產(chǎn)生高的相位變化率,這直接關(guān)系到穩(wěn)定性.
　　邏輯時(shí)鐘不是精確的頻率參考.邏輯時(shí)鐘需要可靠的電路設(shè)計(jì).理想的特性包括快速啟動(dòng)時(shí)間,低EMI,無信號(hào)丟失以及克服電路參數(shù)變化的能力(例如,較小的活動(dòng)度隨溫度變化),外部影響(例如未清除的助焊劑,可能會(huì)積聚導(dǎo)電性污垢或有時(shí)只是手指在內(nèi)部或附近)電路.邏輯時(shí)鐘需要具有通過晶體傳輸大量電流的能力,因此需要放大器輸出阻抗的緊密匹配.
外部電路上的ASIC輸出負(fù)載.
　　先前曾提到典型ASIC的輸出阻抗很低.該阻抗與電容器C2直接并聯(lián)-參考圖1.這個(gè)細(xì)節(jié)是設(shè)計(jì)貼片振蕩器時(shí)最容易被忽視的誤差之一.
　　電容器的Q定義為Rparallel/Xc.如果選擇C2的電抗為–j500歐姆,而ASIC柵極輸出阻抗為100歐姆,則電容器的Q值僅為0.2.這等效于插入一個(gè)與C2串聯(lián)的2500歐姆電阻.與小電容器并聯(lián)的低電阻是沒有電容的低電阻.
Raltron振蕩器CO2016-25.000-3.3-50-T-TR制造技術(shù)概要
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