什么叫做可編程晶振？其實(shí)可編程還有個(gè)很好聽(tīng)的名字叫做：硅晶體，可編程石英晶振簡(jiǎn)單的解釋就是，把你需要的晶振頻率，精度，電壓，負(fù)載等要求提供過(guò)來(lái)，在通過(guò)簡(jiǎn)單的電腦編輯器，把你需要的這些參數(shù)在電腦控制器上，輸入你所提供的參數(shù)，然后按下確定鍵就可以把頻率，電壓等參數(shù)寫入到空白的晶振片上。如果還是不明白你就想一下，IC是怎么編程的，原理跟IC編程一個(gè)道理，只不過(guò)IC編程有分為電腦編輯以及手工模擬編輯，手工模擬編輯就是把一顆工片放在主機(jī)上，母片放入編輯機(jī)的附件，按下確定就可以把公片上的IC系列參數(shù)復(fù)制進(jìn)入母片，不過(guò)目前可編輯的石英晶振現(xiàn)在還沒(méi)做到這種地步。

現(xiàn)在市面上對(duì)硅晶體技術(shù)以及產(chǎn)量做的最優(yōu)越的還得說(shuō)美國(guó)的SiTime Crystal，對(duì)于美國(guó)SiTime晶振品牌來(lái)說(shuō)在歐美市場(chǎng)非常受歡迎，并且很多大型科技企業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，很遺憾的事，可編程硅晶體目前只針對(duì)有源石英晶體振蕩器系列，并不對(duì)普通壓電石英晶振可采取數(shù)據(jù)編輯。
SiTime硅晶振選型表

普通單端振蕩器XO 1-220MHz	高性能、低抖動(dòng) <1 ps Phase Jitter ±10ppm	SiT8208（1-80MHz）
		SiT8209（80.000001-220 MHz）
	低功耗系列 <3.8mA	SiT8008（1-110MHz,最小封裝尺寸2.0×1.6mm）
		SiT8009（115-137MHz）
	業(yè)界首款SOT23封裝振蕩器成本更低	SiT2001（1-110MHz,SOT23-5封裝2.9×2.8mm）
		SiT2002（115-137MHz）
RTC時(shí)鐘32.768KHz 超低功耗，超高精度	典型值0.9uA ±20ppm	SiT1533（2.0×1.2mm,SMD）
		SiT1532（1.5×0.8mm,CSP）
		SiT1630（2012 SMD,-40～105℃）
	業(yè)界精度最高32.768K TCXO	SiT1552（±5ppm,1.5×0.8mm）
差分振蕩器DXO 1-625MHz	LVDS/LVPECL <1 ps Phase Jitter ±10ppm	SiT9121（1-220MHz,2.25～3.63v）
		SiT9122（220.000001-625MHz，最小封裝可到3.2×2.5mm）
壓控振蕩器VCXO 1-625MHz	<1 ps Jitter LVCMOS/LVTTL	SiT3808（1-80MHz,pull rang ±25 ppm to ±1600ppm）
		SiT3809（80.000001-220 MHz）
	<0.75 ps Jitter LVDS/LVPECL	SiT3821（1-220MHz）
		SiT3822（220.000001-625MHz）
抗沖擊寬溫振蕩器 -55℃～125℃，±20ppm MTBF 13億小時(shí)	AEC-Q100汽車級(jí)振蕩器 SOT23-5封裝	SiT2024（1-110MHz, -40～105℃, -40～125℃）
		SiT2025（115.2-137MHz）
	AEC-Q100汽車級(jí)振蕩器普通SMD封裝	SiT8924（1-110MHz, -40～125℃,封裝尺寸最小到2.0×1.6mm）
		SiT8925（220.000001-625MHz）
	50kg沖擊軍品級(jí)振蕩器 SOT23-5封裝	SiT2020（1-110MHz, -55～125℃）
		SiT2021（119.342001-137MHz）
	50kg沖擊軍品級(jí)振蕩器標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝	SiT8920（1-110MHz, -55～125℃,封裝尺寸最小到2.0×1.6mm）
		SiT8921（119.342001-137MHz）
編程器與FP空白片任意頻率，多種規(guī)格		SiT6100DK（SiTime硅晶振編程器套裝）
		SiT800X/ SiT200X（低功耗可編程晶振空白片，6種封裝尺寸）
		SiT8208/9A1-X1-XXX-000.FP000（低抖動(dòng)可編程晶振空白片）
		SiT912X/ SiT38XX（壓控差分可編程晶振空白片，3種封裝尺寸）

目前石英晶振行業(yè)可編輯的只針對(duì)貼片晶振系列產(chǎn)品，并且只限定有源晶振的石英晶體振蕩器OSC系列尺寸。如果是普通無(wú)源石英晶體諧振器系列的話，目前是還不支持可編程的，并且是指針對(duì)SMD晶振系列，如果是引線型的插件晶振目前也不在支持范圍。

愛(ài)普生可編程晶振	SG-8101CA	SG-8101CB	SG-8101CE	SG-8101CG
Size	7.0 x 5.0 x 1.3mm Typ.	5.0 x 3.2 x 1.1mm Typ.	3.2 x 2.5 x 1.05mm Typ.	2.5 x 2.0 x 0.7mm Typ.
Output	CMOS
Frequency range [ f₀ ]	0.67 MHz to 170 MHz
Supply voltage [ Vcc]	1.62 V to 3.63 V (1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3V Typ. )
Frequency tolerance /Operating temperature	±15 x 10^-6 / -40℃ to +85℃ ±20 x 10^-6 / -40℃ to +105℃ ±50 x 10^-6 / -40℃ to +105℃
Current consumption	f₀ = 20 MHz 3.0 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 3.5 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) f₀ = 170 MHz 6.8 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 8.1 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃)
Standby current	0.3 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +25℃ ) 0.9 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +105℃ )
Field oscillator programming tool	SG-Writer II愛(ài)普生晶振可編程系列

根據(jù)早期電子元件信息平臺(tái)發(fā)布，將來(lái)美國(guó)SiTime Corporation公司的硅晶體技術(shù)將會(huì)代替壓電石英晶體，首先主要是先把硅晶體晶片植入ICCUP芯片一起綁定，硅晶體晶片跟ICCPU綁定之后，在外圍的線路上講可以省略預(yù)留壓電石英晶體的位置，起到對(duì)貼片晶振的取代，并且可以為日益變小的電子產(chǎn)品節(jié)省更多的空間，不過(guò)時(shí)間都已經(jīng)過(guò)去好幾年了，也沒(méi)見(jiàn)多有所行懂，目前應(yīng)該還存在理論上。

愛(ài)普生晶振可編程系列	SG-9101CA	SG-9101CB	SG-9101CE	SG-9101CG
Size	7.0 x 5.0 x 1.3mm Typ.	5.0 x 3.2 x 1.1mm Typ.	3.2 x 2.5 x 1.05mm Typ.	2.5 x 2.0 x 0.7mm Typ.
Output	CMOS
Frequency range [ f₀ ]	0.67 MHz to 170 MHz
Supply voltage [ Vcc]	1.62 V to 3.63 V (1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3V Typ. )
Spread-spectrum	Down or Center spread modulation
Operating temperature	-40℃ to +85℃ -40℃ to +105℃
Current consumption	f₀ = 20 MHz 3.2 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 3.7 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃) f₀ = 170 MHz 7 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃) 8.3 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃)
Standby current	0.3 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +25℃ ) 0.9 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +105℃ )
Field oscillator programming tool	SG-Writer II愛(ài)普生晶振可編程SG-9101系列

那么可編程石英晶振目前市場(chǎng)如何呢？可編程石英晶振目前市場(chǎng)前景在中國(guó)國(guó)內(nèi)來(lái)說(shuō)市場(chǎng)并不是很好，國(guó)內(nèi)主要還是使用常規(guī)的壓電石英晶體振蕩器多點(diǎn)，目前硅晶體可編程系列在國(guó)內(nèi)接受度并沒(méi)有得到廣泛的認(rèn)可，說(shuō)難聽(tīng)點(diǎn)很多人連聽(tīng)都沒(méi)聽(tīng)說(shuō)過(guò)，更別說(shuō)使用了。

目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)有用到硅晶體可編程貼片晶振的企業(yè)主要以歐美企業(yè)，以及代工歐美OEM的企業(yè)比較多，因?yàn)榭删幊?a target="_blank">有源晶振在歐盟接受度還是比較大的。不過(guò)可硅晶體編程有源晶振對(duì)于一些工程設(shè)計(jì)，或者產(chǎn)品開(kāi)發(fā)人士來(lái)說(shuō)是件非常好的事情，因?yàn)楹芏喈a(chǎn)品在開(kāi)發(fā)階段使用頻率都還處在選型階段，而且硅晶體屬于可編程貼片晶振，這樣就大大的滿足了工程設(shè)計(jì)階段樣品采購(gòu)。

KDS晶振可編程系列M08008系列晶振
出力周波數(shù)：1 MHz～110 MHz（小數(shù)點(diǎn)以下6桁まで対応）
外形寸法：2.0×1.6、2.5×2.0、3.2×2.5、5.0×3.2、7.0×5.0 mm
周波數(shù)許容偏差：±20 x 10^-6
低消費(fèi)電流：+3.5 mA (typical、Vdd = +1.8V)
IDSC,DVC、DVR、IP CAM,e-Books Tablets,SSD,GPON、EPON等
USB,以及入門級(jí)SATA,SAS,Firewire 100米,1 G / 10g /以太網(wǎng)

KDS晶振可編程	記號(hào)	Min.	Typ.	Max.	単位	條件
出力周波數(shù)範(fàn)囲	f	1	-	110	MHz
電源電圧	Vdd	+1.62	+1.8	+1.98	V
		+2.25	+2.5	+2.75
		+2.52	+2.8	+3.08
		+2.7	+3.0	+3.3
		+2.97	+3.3	+3.63
		+2.25	-	+3.63
動(dòng)作溫度範(fàn)囲	T_use	-20	-	+70	℃	Extended Commercial
動(dòng)作溫度範(fàn)囲	T_use	-40	-	+85	℃	Industrial
周波數(shù)許容偏差	F_stab	-20	-	+20	×10^-6	+25℃での初期周波數(shù)偏差、経時(shí)変化(1年)、溫度特性、動(dòng)作電源電圧範(fàn)囲での電源電圧特性、負(fù)荷特性を含む。
		-25	-	+25
		-50	-	+50
消費(fèi)電流	Idd	-	+3.8	+4.5	mA	No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +2.8V ~ +3.3V
		-	+3.7	+4.2		No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +2.5V
		-	+3.5	+4.1		No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +1.8V
OEディスエーブル電流	I_od	-	-	+4.2	mA	Vdd = +2.5V ~ +3.3V, OE = GND, Output in high-Z state
OEディスエーブル電流	I_od	-	-	+4.0	mA	Vdd = +1.8V, OE = GND, Output in high-Z state
スタンバイ時(shí)電流	I_std	-	+2.1	+4.3	μA	ST= GND, Vdd = +2.8V ~ +3.3V, Output is weakly pulled down
		-	+1.1	+2.5		ST= GND, Vdd = +2.5V , Output is weakly pulled down
		-	+0.2	+1.3		ST= GND, Vdd = +1.8V, Output is weakly pulled down
デューティーサイクル	DC	45	-	55	%	All Vdds
0レベル電圧	V_OL	-	-	Vdd × 0.1	V	I_OL = +4.0 mA (Vdd = +3.0V or +3.3V) I_OL = +3.0 mA (Vdd = +2.8V and Vdd = +2.5V) I_OL = +2.0 mA (Vdd = +1.8V)
1レベル電圧	V_OH	Vdd × 0.9	-	-	V	I_OH = -4.0 mA (Vdd = +3.0V or +3.3V) I_OH = -3.0 mA (Vdd = +2.8V and Vdd = +2.5V) I_OH = -2.0 mA (Vdd = +1.8V)
立上り、立下り時(shí)間	Tr,Tf	-	1.0	2.0	ns	Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V, 20% ~ 80%
		-	1.3	2.5		Vdd =+1.8V, 20% ~ 80%
		-	-	2.0		Vdd = +2.25V ~ +3.63V, 20% ~ 80%
OE 0レベル入力電圧	V_IL	-	-	Vdd × 0.3	V	Pin 1, OE or ST
OE 1レベル入力電圧	V_IH	Vdd × 0.7	-	-	V	Pin 1, OE or ST
起動(dòng)時(shí)間	T_start	-	-	5.0	ms	Vddが定格最小値に達(dá)してからの時(shí)間
出力イネーブル時(shí)間出力ディスエーブル時(shí)間	T_oe	-	-	130	ns	f = 110 MHz. For other frequencies, T_oe = 100 ns + 3 * cycles
レジューム時(shí)間	T_resume	-	-	5.0	ms	ST 端子が50%のしきい値に達(dá)してからの時(shí)間
RMSピリオドジッタ	T_jitt	-	1.8	3.0	ps	f = 75 MHz, Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V
RMSピリオドジッタ	T_jitt	-	1.8	3.0	ps	f = 75 MHz, Vdd = +1.8V
Peak-to-peak ピリオドジッタ	T_pk	-	12	25	ps	f = 75 MHz, Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V
Peak-to-peak ピリオドジッタ	T_pk	-	14	30	ps	f = 75 MHz, Vdd = +1.8V
RMS位相ジッタ (ランダム)	T_phj	-	0.5	0.9	ps	f = 75 MHz, Integration bandwidth = 900 kHz ~ 7.5 MHz
RMS位相ジッタ (ランダム)	T_phj	-	1.3	2.0	ps	f = 75 MHz, Integration bandwidth = 12 kHz ~ 20 MHz

那么目前在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)都有那些品牌在做可編程石英晶振呢？在做的品牌有日本大真空KDS晶振，精工愛(ài)普生株式會(huì)社，愛(ài)普生晶振，日本京瓷晶振，KSS晶振品牌，以及臺(tái)灣泰藝晶振，臺(tái)灣亞陶晶振，美國(guó)SiTime晶振，不過(guò)目前在市場(chǎng)銷售的品牌也就主要以美國(guó)SiTime晶振品牌為主了，臺(tái)灣晶振品牌，以及日本進(jìn)口晶振品牌中，在市場(chǎng)公開(kāi)普及銷售的還是比較少，不過(guò)日本的愛(ài)普生晶振品牌，以及KDS晶振品牌，這兩個(gè)品牌目前可接受可編程晶振的定制，不過(guò)價(jià)格比起普通的壓電石英晶體振蕩器來(lái)說(shuō)，還是非常昂貴的。