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首頁(yè)常見(jiàn)問(wèn)題 熱敏晶振生產(chǎn)過(guò)程有哪些步驟?

熱敏晶振生產(chǎn)過(guò)程有哪些步驟?

來(lái)源:http://konuaer.com 作者:康華爾電子 2019年08月17
       X2R026000BZ1HZ-DEHPZ是臺(tái)灣加高晶振公司,自己開(kāi)發(fā)量產(chǎn)的一款熱敏晶振料號(hào)編碼,其系列料號(hào)是HSX221SR,內(nèi)部搭載了熱敏電阻,主要作用是代替TCXO晶振的溫度補(bǔ)償性能,降低生產(chǎn)廠家的成本.實(shí)際意義上,熱敏晶振仍然屬于無(wú)源系列,因?yàn)樗鼪](méi)有電壓這項(xiàng)參數(shù),需要接入外部電源才能啟動(dòng)振蕩,可以應(yīng)用到特殊的環(huán)境中.該組件是為自動(dòng)插入而設(shè)計(jì)的.但是,需要使用插入機(jī)進(jìn)行試驗(yàn),以確保操作正確且不會(huì)損壞部件.需注意電路板翹曲,這可能會(huì)損壞組件并導(dǎo)致焊接過(guò)程.不得使用腐蝕鎳的清洗液,這可能會(huì)導(dǎo)致表面、顏色、標(biāo)記等問(wèn)題.超聲波清洗是可能的,但是,需要檢查電路板.因?yàn)槲覀冎粰z查了一個(gè)單元.請(qǐng)遠(yuǎn)離高溫和高濕度,這可能會(huì)導(dǎo)致放焊.不要直射的陽(yáng)光,也不能沾染液體.
       許多人對(duì)晶體晶振的生產(chǎn)流程和制造工藝感興趣,以下是熱敏晶振完整的生產(chǎn)過(guò)程,該流程共有26道工序和步驟,每一步都要嚴(yán)格正確的操作,才能制造出一顆完整優(yōu)質(zhì)的熱敏晶體.
熱敏石英晶振生產(chǎn)過(guò)程:
       1.進(jìn)料檢查—2.進(jìn)料檢查外殼蓋—3.進(jìn)料檢查基座BASE—4.進(jìn)料檢查晶片—5.晶片洗凈—6.微蝕刻—7.底板電鍍—8.粘接—9.粘接固化—10.粘接檢查—11.頻率調(diào)整—12.中間檢查—13.高真空烘烤—14.熔接—15.強(qiáng)力振—16.回流—17.熱老化—18.DLD(F·CI)—19.泄漏檢查(HE)—20.泄漏檢查(AIR)—21.熱敏電阻搭載—22.回流—23.溫度特性檢查—24.最終檢查(F·CI·熱敏電阻)—25.出貨檢查—26.包裝和運(yùn)輸?shù)綆?kù)存
熱敏晶振電氣特性:
       S曲線(fL)3階曲線擬合系數(shù)要求超過(guò)2℃下的工作溫度試驗(yàn)[f(T)=C3*(T-T0)^3+C2*(T-T0)^2+C1*(T-T0)+C0;T0=25℃]
       一階系數(shù):-0.1~-0.35
       二階系數(shù):-0.0005~-0.0012
       三階系數(shù):0.000087~0.00011
       貼片晶振頻率.在2℃試驗(yàn)下,測(cè)得的S曲線(fL)數(shù)據(jù)與3階曲線擬合數(shù)據(jù)之間的斜率誤差超過(guò)工作溫度
       -10℃~60℃:±0.05ppm
       -30℃~85℃:±0.1ppm
       頻率.擾動(dòng):在±0.5ppm范圍內(nèi)
       -來(lái)自頻率的殘余錯(cuò)誤.與溫度曲線擬合3階.閔.1個(gè)頻率在工作溫度下每攝氏2度讀數(shù)
       全周期溫度滯后:最大0.5ppm.
       -頻率差異在每個(gè)2度的測(cè)試中,在-40℃至85℃的整個(gè)操作溫度范圍內(nèi)進(jìn)行熱循環(huán)時(shí)的任何溫度下的測(cè)量
       小循環(huán)溫度滯后:最大0.05ppm.
       -頻率差異在每1度試驗(yàn)中,當(dāng)溫度范圍為5℃的熱循環(huán)時(shí),熱敏晶體在任何溫度下進(jìn)行測(cè)量
機(jī)械性能測(cè)試方法
項(xiàng)目 測(cè)試方法 規(guī)格代碼
自然掉落 在混凝土地板上從120厘米高度跌落3次 A
振動(dòng) 晶振頻率10-55Hz,正弦波全幅度0.8mm到X,Y和Z3軸,每個(gè)軸的持續(xù)時(shí)間為2小時(shí). A
密封嚴(yán)密 泄漏率1.0x10-8Pa-m3/sec.最大.用氦氣檢漏儀測(cè)量.-精細(xì)泄漏. ---
可焊性 施用ROSINFlux后,浸入245℃+/-5℃的焊料浴中3+/-0.5秒. B
        寄生模式串聯(lián)電阻:0.5K歐姆(最小值)+/-1MHz,調(diào)諧靈敏度(TS):28+/-10%ppm/pF,DLD規(guī)格:10nW~100uW,步進(jìn)比為√10,DLD2:最大2.5歐姆,DLDH2:最大1.5歐姆,FDLD:最大2ppm.FDLDH:最大0.7ppm.
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