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產(chǎn)品系列

首頁進(jìn)口晶振KDS晶振DT-38進(jìn)口晶體,KDS高質(zhì)量晶振,1TC250E65晶振

    DT-38進(jìn)口晶體,KDS高質(zhì)量晶振,1TC250E65晶振

  • 編號：30733615
  • 頻率：32.768KHZ
  • 尺寸：3.0*8.0mm
  • RoHS
  • RoHS2
DT-38進(jìn)口晶體,KDS高質(zhì)量晶振,1TC250E65晶振，插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號發(fā)生源部分,...

      DT-38進(jìn)口晶體,KDS高質(zhì)量晶振,1TC250E65晶振，插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能.

   項(xiàng)目   型名 DT-38 DT-381 DT-26 DT-261
周波數(shù)範(fàn)囲   32.768kHz 20 ~ 90kHz 32.768kHz 28 ~ 90kHz
負(fù)荷容量   12.5pF (1)
勵(lì)振レベル   1.0μW（2.0μW max.）
周波數(shù)許容偏差   ±12/±28PPM×10−6  （at 25℃）
直列抵抗   30kΩ max. (2) 40kΩ max. (2)
頂點(diǎn)溫度   ＋25℃±5℃
二次溫度係數(shù)   −0.04×10−6/℃ 2 max.
動作溫度範(fàn)囲   −10 ~＋60℃
保存溫度範(fàn)囲   −20 ~＋70℃
並列容量   1.3pF typ. (2) 1.1pF typ. (2)



     DT-38進(jìn)口晶體,KDS高質(zhì)量晶振,1TC250E65晶振，自1959年成立以來,我們在大真空KDS晶振總是確保全球消費(fèi)者的信任通過提供產(chǎn)品滿足需要投身于更大的復(fù)雜性,在我們的“依賴”的三個(gè)哲學(xué):“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品,”和“可靠的公司.“作為一個(gè)全球石英設(shè)備制造商,我們努力幫助實(shí)現(xiàn)新一代電子社會,更方便、更舒適,通過開發(fā)水晶設(shè)備對全球環(huán)境友好.
     DT-38進(jìn)口晶體,KDS高質(zhì)量晶振,1TC250E65晶振，基于我們的座右銘“高質(zhì)量的產(chǎn)品,合理的價(jià)格,準(zhǔn)時(shí)交貨,“我們建立了一種高效的生產(chǎn)系統(tǒng),以確保穩(wěn)定供應(yīng)水晶設(shè)備,同時(shí)保持高質(zhì)量.大真空的綜合生產(chǎn)系統(tǒng),從開發(fā)、切割和拋光的合成石英無源晶體成品——使我們能夠迅速滿足全球客戶的需求.我們將繼續(xù)支持下一代技術(shù)作為主要石英設(shè)備制造市場提供高滿意度的質(zhì)量、成本和交付.


     DT-38進(jìn)口晶體,KDS高質(zhì)量晶振,1TC250E65晶振，大真空KDS晶振針對進(jìn)口石英晶體產(chǎn)品中所含的以鉛為首的六價(jià)鉻、汞、鎘、PBB、PBD等RoHS指令（Directive of the Restriction of use of the Hazardous Substances）及車載相關(guān)管制的ELV（End of Life Vehicles Directive）中列明的管制物質(zhì)、以及阻燃劑中 使用的鹵素化合物,積極開展削減工作,并準(zhǔn)備了RoHS/ELV指令對應(yīng)產(chǎn)品、無鹵產(chǎn)品以及無鉛產(chǎn)品.
社會責(zé)任
    大真空組有助于創(chuàng)建一個(gè)通過環(huán)境保護(hù)活動逐步發(fā)展中社會與環(huán)境的和諧.
遵守法律和監(jiān)管要求
    大真空觀察法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開發(fā).

   如果過大的激勵(lì)電力對石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請?jiān)谛麄鲀?、?guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.
   讓諧振器振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值.本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上,若是車載和安全設(shè)備,則推薦10倍 以上.
＜晶體振蕩器＞
   晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮.
   有些晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時(shí),請?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以 最短距離連接.關(guān)于個(gè)別機(jī)型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書.DT-38進(jìn)口晶體,KDS高質(zhì)量晶振,1TC250E65晶振.
   注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近.
   如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時(shí)需要配置調(diào)諧電路.
   如果過大的激勵(lì)電力對晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請?jiān)诰w濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用.

1.技術(shù)支持                                                                        2.客服咨詢                            
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