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ACT晶振,2016-SMX-4晶振,無(wú)鉛環(huán)保晶振.貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榈凸木д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型,薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無(wú)線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無(wú)鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使石英晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定.
自1986年以來(lái),ACT - 以前的高級(jí)晶體技術(shù) - 已發(fā)展成為高性能頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)先設(shè)計(jì)合作伙伴.我們與Esterline研究和設(shè)計(jì)(ERD)的合作使我們能夠突破SMD晶振技術(shù)的界限.這些突破性產(chǎn)品為T(mén)CXO和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn),創(chuàng)造了當(dāng)今市場(chǎng)上性能最高,最精確的振蕩器技術(shù).各種標(biāo)準(zhǔn)頻率產(chǎn)品我們還擁有強(qiáng)大的頻率控制產(chǎn)品組合,包括晶體,時(shí)鐘振蕩器,TCXO和濾波器.
ACT晶振 | 單位 | 2016-SMX-4晶振 | 石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 | f_nom | 16~62.5MHz | 標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 | T_stg | -55°C~+125°C | 裸存 |
工作溫度 | T_use |
-20℃~+70℃ -30℃~+85℃ -40℃~+85℃ |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 | DL | 1.0μW Max. | 推薦:100μW ~ 300μW |
頻率公差 | f_— l | ±10ppm~±50ppm |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://renderx.cn/ |
頻率溫度特征 | f_tem | ±50× 10-6 /-30°C~+85°C | 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 | C | 6pF~16pF | 不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) | R1 | 如下表所示 | -10°C— +60°C, DL = 100μW |
頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
引線類型產(chǎn)品
當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時(shí),請(qǐng)注意避免對(duì)基座玻璃部分施加壓力.否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕,從而引起性能劣化.
裝載SMD產(chǎn)品
SMD晶體產(chǎn)品支持自動(dòng)貼裝,但還是請(qǐng)預(yù)先基于所使用的搭載機(jī)實(shí)施搭載測(cè)試,確認(rèn)其對(duì)特性沒(méi)有影響.在切斷工序等會(huì)導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中,請(qǐng)注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊.基于超聲波焊接的貼裝以及加工會(huì)使得貼片晶體產(chǎn)品(諧振器、振蕩器、聲表面濾波器)內(nèi)部傳播過(guò)大的振動(dòng),有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.
晶體諧振器
如果過(guò)大的激勵(lì)電力對(duì)石英晶體諧振器外加電壓,有可能導(dǎo)致特性老化或損壞,因此請(qǐng)?jiān)谛麄鲀?cè)、規(guī)格書(shū)中規(guī)定的范圍內(nèi)使用.
晶體振蕩器
晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS.閉鎖、靜電對(duì)策請(qǐng)和一般的C-MOSIC一樣考慮.有些石英晶體振蕩器沒(méi)有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接.使用時(shí),請(qǐng)?jiān)赩dd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器(陶瓷片狀電容器等)以短距離連接.關(guān)于個(gè)別機(jī)型請(qǐng)確認(rèn)宣傳冊(cè)、規(guī)格書(shū).
晶體濾波器
注意電路板圖形的配置,避免輸入端子和輸出端子靠得太近.如果2016晶振濾光片的電路板的雜散電容較大,為了消除該雜散電容,有時(shí)需要配置調(diào)諧電路.
避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過(guò)教育和提高意識(shí)來(lái)提高他們的環(huán)保意識(shí).確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開(kāi).
ACT晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過(guò)去ACT晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn).英國(guó)ACT晶振遵守法規(guī)和監(jiān)管要求,從事環(huán)保產(chǎn)品的開(kāi)發(fā).環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域,從開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).
英國(guó)ACT晶振將:通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過(guò)開(kāi)展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖.
ACT晶振集團(tuán)將:不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架.通過(guò)充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持.
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為您做到低成本,高效率.
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