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產(chǎn)品系列

首頁(yè)汽車(chē)電子產(chǎn)品京瓷貼片晶振,CX5032GB(CX-53F)諧振器,CX5032GA(CX-53G)無(wú)源晶振

    京瓷貼片晶振,CX5032GB(CX-53F)諧振器,CX5032GA(CX-53G)無(wú)源晶振

  • 編號(hào)：9383981
  • 頻率：8.0~40.0MHZ
  • 尺寸：5.0*3.2mm
  • RoHS
  • RoHS2
進(jìn)口京瓷晶振,CX3225SB(CX-101F)諧振器,CX3225SA無(wú)源晶振,高精度晶片的拋光技術(shù)：是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不...


     京瓷貼片晶振,CX5032GB(CX-53F)諧振器,CX5032GA(CX-53G)無(wú)源晶振,小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對(duì)應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.貼片晶振采用了多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）.

晶振參數(shù) 單位 晶振CX5032GB 晶振需求標(biāo)準(zhǔn)
標(biāo)準(zhǔn)頻率范圍 f_nom 8.0~40.0MHZ 請(qǐng)確定你所需要的頻率,聯(lián)系我們代理商
儲(chǔ)存溫度 T_stg -40°C ~ +85°C 裸存
工作溫度 T_use -10°C ~ +70°C  
激勵(lì)功率 DL 0.1μW 如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW 的需求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
精度 f_— l ±15×10-6 如有需要更高的精度可以特定.
拐點(diǎn)溫度 Ti +25°C ±3°C  
負(fù)載電容 CL 8pF 可指定
頻率老化 f_age ±5×10-6 ±25±3°C, 第一年




      京瓷的第一個(gè)字母“K”環(huán)起了陶瓷這一英文的第一個(gè)字母“C”,它由象征追求更廣闊的領(lǐng)域,展翅面向未來(lái)的企業(yè)商標(biāo)和企業(yè)標(biāo)識(shí)構(gòu)成.1982年10月,公司由“京都陶瓷株式會(huì)社”變更為“京瓷株式會(huì)社”之際,便開(kāi)始啟用這一標(biāo)識(shí).作為象征性標(biāo)記的顏色,選擇了富有熱情和挑戰(zhàn)意味的紅色.“The New Value Frontier”(即在最尖端領(lǐng)域不斷創(chuàng)造新價(jià)值)是京瓷向社會(huì)發(fā)出的能夠表現(xiàn)公司強(qiáng)烈意愿的宣言.京瓷將發(fā)揮集團(tuán)的綜合實(shí)力,用獨(dú)有的技術(shù)和視角開(kāi)辟和構(gòu)筑時(shí)代與市場(chǎng)所求的價(jià)值形態(tài).

      石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡(jiǎn)化圖形. 當(dāng)我們?cè)诠柙由戏郊把踉酉路椒謩e給予正電場(chǎng)及負(fù)電場(chǎng)時(shí), 空間系統(tǒng)為了維持電位平衡, 兩個(gè)氧原子會(huì)相互排斥, 在氧原子下方形成一個(gè)感應(yīng)正電場(chǎng)區(qū)域, 同時(shí)在硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場(chǎng)區(qū)域. 相反的情況, 當(dāng)我們?cè)诠柙由戏郊把踉酉路椒謩e給予負(fù)電場(chǎng)及正電場(chǎng)時(shí), 兩個(gè)氧原子會(huì)相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場(chǎng),硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)正電場(chǎng). (圖二). 然而, 氧原子的水平位置變化時(shí), 鄰近的另一個(gè)氧原子會(huì)相對(duì)的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來(lái)的空間位置. 因此, 電場(chǎng)的力量與原子之間的力量會(huì)相互牽動(dòng), 電場(chǎng)的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個(gè)交互作用會(huì)形成一個(gè)在石英材料耗能最小的振動(dòng)狀態(tài), 祇要由電場(chǎng)持續(xù)給與能量, 石英材料就會(huì)與電場(chǎng)之間維持一個(gè)共振的頻率. 這個(gè)壓電效應(yīng)下氧原子的振幅與電場(chǎng)強(qiáng)度及電場(chǎng)對(duì)二氧化硅的向量角度有相對(duì)應(yīng)的關(guān)系.在實(shí)際的應(yīng)用上, 電場(chǎng)是由鍍?cè)谑⑿酒系慕饘匐姌O產(chǎn)生, 電場(chǎng)與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來(lái)決定.

     京瓷集團(tuán)自成立以來(lái),始終秉承“敬天愛(ài)人”這一社訓(xùn),將“與社會(huì)和諧共存”、“與世界和諧共存”、“與自然和諧共存”這3個(gè)“共存（LIVING TOGETHER）”作為所有企業(yè)活動(dòng)的基礎(chǔ),在兼顧環(huán)保和經(jīng)濟(jì)效益的同時(shí),舉全集團(tuán)之力開(kāi)展可持續(xù)發(fā)展的“環(huán)境經(jīng)營(yíng)”. 
     京瓷集團(tuán)在生產(chǎn)過(guò)程中,會(huì)使用精密陶瓷原材料、化學(xué)藥劑等諸多化學(xué)物質(zhì).因此,在處理工廠廢水時(shí),我們堅(jiān)持“必須要將廢水凈化至比河水更為干凈的狀態(tài)”.利用當(dāng)前最先進(jìn)的技術(shù),最大限度進(jìn)行無(wú)害化處理,這就是京瓷集團(tuán)的理念.基于這樣的理念,京瓷集團(tuán)于1991年制定了“京瓷環(huán)境憲章”.之后又將環(huán)境憲章加以具體化,制定出“環(huán)境愿景2020”,明確了到2020年為止的長(zhǎng)遠(yuǎn)規(guī)劃,并為了實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo),制定出年度計(jì)劃“京瓷集團(tuán)全球環(huán)境方針”.
京瓷環(huán)境憲章
      京瓷集團(tuán)在“共存（LIVING TOGETHER）”這一理念的指導(dǎo)下,為構(gòu)建低碳社會(huì)、循環(huán)型社會(huì)、與自然共存的社會(huì),制定了《京瓷環(huán)境憲章》,其中規(guī)定了環(huán)保產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、節(jié)能、防止全球變暖、節(jié)約資源、削減廢棄物、化學(xué)物質(zhì)的合理管理、保護(hù)生物多樣性等綜合性的環(huán)保措施.
環(huán)境愿景2020
      京瓷集團(tuán)為了在兼顧環(huán)保和經(jīng)濟(jì)效益的同時(shí),開(kāi)展可持續(xù)發(fā)展的環(huán)境經(jīng)營(yíng),制定了《環(huán)境愿景2020》,明確了2020年的目標(biāo).
京瓷集團(tuán)全球環(huán)境方針
      京瓷集團(tuán)制定了《京瓷集團(tuán)全球環(huán)境方針》,其中規(guī)定了針對(duì)溫室效應(yīng)氣體、能源、水、產(chǎn)業(yè)廢棄物4個(gè)項(xiàng)目的一年的目標(biāo).
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